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商品の詳細

Created with Pixso. Created with Pixso. 製品 Created with Pixso.
繊維光学のジャイロコンパス
Created with Pixso.

MEMSジャイロスコープチップメーカー INSシステム向け低バイアス安定性

MEMSジャイロスコープチップメーカー INSシステム向け低バイアス安定性

ブランド名: Firepower
モデル番号: MGZ318HC-A1
MOQ: 1
価格: 交渉可能
支払条件: T/T
供給能力: 500/月
詳細情報
起源の場所:
中国
測定範囲:
400度/秒
バイアス安定性:
<0.1°/h
バンド幅:
200Hz
角度ランダムウォーク:
<0.05°/√h
供給電圧:
5±0.25V
消費電流:
45ma
パッケージの詳細:
sponge+box
供給の能力:
500/月
製品説明
MEMSジャイロスコープチップ 製造元 INSシステム向け低バイアス安定性
製品概要

このMEMSジャイロスコープチップは、高精度、低ノイズ、優れた安定性を兼ね備え、信頼性の高いモーションセンシング性能を提供します。堅牢な設計により、過酷な環境条件下でも一貫した出力を保証し、産業、航空宇宙、ナビゲーションアプリケーションに最適です。組み込みシステムへの容易な統合により、開発効率が向上します。

PCB設計ガイドライン
  • VCP、VREF、VBUF、VREGピンのデカップリングコンデンサは、ピンのできるだけ近くに配置してください
  • トレースの等価抵抗を最小限に抑える
  • VREF、VBUF、VREGのデカップリングコンデンサのもう一方の端は、最も近いAVSS_LNに接続し、その後磁気ビーズを介して信号グランドに接続してください
  • VCCおよびVIOのデカップリングコンデンサは、対応するピンのできるだけ近くに配置してください
  • VCC通常動作電流:約35mA - 電圧安定性のために広いPCBトレースが必要です
  • スムーズな組み立てのためにパッケージの下の配線を避ける
  • 応力集中領域を避けるようにコンポーネントを配置する
  • 大きな放熱要素や外部機械的接触のある領域を避ける
  • 取り付け中の反りが発生しやすい場所への配置を避ける
MEMSジャイロスコープチップメーカー INSシステム向け低バイアス安定性 0
技術仕様
性能 単位 MGZ332HC-P1 MGZ332HC-P5 MGZ318HC-A1 MGZ221HC-A4 MGZ330HC-O1 MGZ330HC-A1
レンジ deg/s 400 400 400 400 400 100
帯域幅 @3DB (カスタマイズ) Hz 90 180 200 200 300 50
出力精度 (デジタルSPI) bits 24 24 24 24 24 24
出力レート (ODR) (カスタマイズ) Hz 12K 12K 12K 12K 12K 12K
遅延 (カスタマイズ) ms <3 <1.5 <1.5 <1.5 <1 <6
バイアス安定性 deg/hr(1σ) <0.05 <0.05 <0.1 <0.5 <0.1 <0.02
バイアス安定性 (1σ 10s) deg/hr(1σ) <0.5 <0.5 <1 <5 <1 <0.1
温度によるバイアス誤差 (1σ) deg/hr(1σ) <5 <5 <10 <30 10 5
スケールファクタ (25℃) lsb/deg/s 20000 20000 16000 16000 20000 80000
スケールファクタ繰り返し性 (1σ) ppm(1σ) <20ppm <20ppm <20ppm <20ppm <100ppm <100ppm
スケールファクタ vs 温度 (1σ) ppm(1σ) 100ppm 100ppm <150ppm <150ppm <300ppm <300ppm
スケールファクタ非線形性 (1σ) ppm 100ppm 100ppm <150ppm <150ppm <300ppm <300ppm
角ランダムウォーク (ARW) °/√h <0.025 <0.025 <0.05 <0.25 <0.05 <0.005
ノイズ (ピークピーク) deg/s <0.15 <0.3 <0.35 <0.4 <0.25 <0.015
G値感度 °/hr/g <1 <1 <1 <3 <1 <1
追加仕様
  • 電源投入時間 (有効データ): 750ms
  • センサー共振周波数: 10.5k-13.5kHz
環境適合性
  • 衝撃 (電源投入時): 500g, 1ms
  • 耐衝撃性 (電源オフ時): 10000g, 10ms
  • 振動 (電源投入時): 18g rms (20Hz~2kHz)
  • 動作温度: -40℃~+85℃
  • 保管温度: -55℃~+125℃
  • 供給電圧: 5±0.25V
  • 消費電流: 45mA
取り付け手順
MEMSジャイロスコープチップメーカー INSシステム向け低バイアス安定性 1